FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL - Información sobre la patente
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FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL

Patente europea por "FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL"

Este registro ha sido solicitado por

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Contacto
 
 
 




  • Estado: Solicitud publicada
  • País:
  • España 
  • Fecha solicitud:
  • 16/03/2021 
  • Número solicitud:
  • E21162833 

  • Número publicación:
  •  

  • Fecha de concesión:
  •  

  • Inventores:
  • Persona física 

  • Datos del titular:
  • Samsung Electronics Co., Ltd.
  • Datos del representante:

  •  
  • Clasificación Internacional de Patentes:
  • B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417 
  • Clasificación Internacional de Patentes de la publicación:
  • B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417 
  • Fecha de vencimiento:
  •  
Los productos y servicios protegidos por este registro son:
B82Y 10/00 - H01L 29/06 - H01L 29/16 - H01L 29/66 - H01L 29/775 - H01L 29/778 - H01L 29/417

Publicaciones:
EP3882212 (22/09/2021) - A1 Solicitud de patente europea con informe de búsqueda en la OEP
Eventos:
En fecha 22/09/2021 se realizó Publicación OEP Solicitud de Patente Europea con Informe de Búsqueda (A1).

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Información sobre el registro de patente europea por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833

El registro de patente europea por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833 fue solicitada el 16/03/2021. Se trata de un registro en España por lo que este registro no ofrece protección en el resto de países. El registro FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833 fue solicitada por SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. El registro [modality] por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833 está clasificado como B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417 según la clasificación internacional de patentes.

Otras invenciones solicitadas por Samsung Electronics Co., Ltd.

Es posible conocer todas las invenciones solicitadas por Samsung Electronics Co., Ltd. entre las que se encuentra el registro de patente europea por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Si se desean conocer más invenciones solicitadas por Samsung Electronics Co., Ltd. clicar aquí.

Otras invenciones solicitadas en la clasificación internacional de patentes B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417.

Es posible conocer invenciones similares al campo de la técnica se refiere. El registro de patente europea por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833 está clasificado con la clasificación B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417 por lo que si se desea conocer más registros con la clasificación B82Y 10/00,H01L 29/06,H01L 29/16,H01L 29/66,H01L 29/775,H01L 29/778,H01L 29/417 clicar aquí.

Patentes en España

Es posible conocer todas las invenciones publicadas en España entre las que se encuentra el registro patente europea por FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL. Nuestro portal www.patentes-y-marcas.com ofrece acceso a las publicaciones de patentes en España. Conocer las patentes registradas en un país es importante para saber las posibilidades de fabricar, vender o explotar una invención en España.

Patentes registradas en la clase B

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase B (TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTE ) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

Patentes registradas en la clase B82

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase B82 (NANOTECNOLOGIA) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

Patentes registradas en la clase B82Y

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase B82Y (USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACIO) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

Patentes registradas en la clase H

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase H (ELECTRICIDAD) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

Patentes registradas en la clase H01

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase H01 (ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

Patentes registradas en la clase H01L

Es posible conocer todas las patentes registradas en la clase H01L (DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR) entre las que se encuentra la patente FIELD EFFECT TRANSISTOR INCLUDING CHANNEL FORMED OF 2D MATERIAL con el número E21162833. Conocer las patentes registradas en una clase es importante para saber las posibilidades de registrar una patente en esa misma clase.

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